Produkte für die Züchtung von Halbleiter-
und Saphir-Einkristallen:

Tiegel, Heizer, Hitzeschilde, Reflektoren und Isolation

Graphitkomponenten für CZ-AnlagenStütztiegel aus SIGRABOND® CFC

Ganz gleich welches Verfahren zur Züchtung von Einkristallen betrachtet wird, ob Heat Exchange-Methode (HEM) für Saphir, Czochralski (CZ) für Silizium oder Physical Vapor Transport (PVT) für Siliziumcarbid (SiC): Fast immer laufen die Kristallisationsprozesse bei sehr hohen Temperaturen und in aggressivem Milieu ab. Deshalb besteht der Hochtemperaturbereich im Ofen („Heiße Zone“) fast vollständig aus temperatur- und korrosionsbeständigen Graphitbauteilen.

Für Kristallzuchtanlagen aller Art liefert die SGL Group sämtliche Graphitkomponenten einzeln oder als Set.

Dazu zählen Heizer, Tiegel, Reflektoren und Hitzeschilde aus hochfestem, homogenem Feinkorngraphit oder carbonfaserverstärktem Kohlenstoff (CFC) sowie Isolationsbauteile aus Graphitfilzen. Je nach Anlage wählen wir die jeweils besten Materialien in höchster Reinheit (Aschewert < 5 ppm). Um die Lebensdauer besonders beanspruchter Bauteile zu erhöhen, bieten wir SiC-Spezialbeschichtungen. Hierfür besonders gut geeignet sind unsere isostatischen Graphite R6510 und R6810.

Anwendungsspezifische Spezialgraphite für Kristallzuchtanlagen

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